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11月27-30日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）暨第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門召開，國星光電應邀出席論壇并斬獲“品牌力量”獎項。

■赴約盛會

IFWS&SSLCHINA是中國地區(qū)舉辦的、專業(yè)性最強、影響力最大的第三代半導體領域國際性年度盛會，也是規(guī)模最大、規(guī)格最高的第三代半導體全產業(yè)鏈綜合性論壇。

■斬獲殊榮

“品牌力量”獎項由IFWS&SSLCHINA組委會頒發(fā)，是為發(fā)展第三代半導體和半導體照明產業(yè)所屬領域的優(yōu)秀企業(yè)和優(yōu)勢品牌所創(chuàng)立，獲得該獎項是對國星光電在半導體照明產業(yè)領域出色表現(xiàn)的高度認可。

近年來

國星光電堅持創(chuàng)新引領發(fā)展

以領先技術驅動產品創(chuàng)新

不斷夯實品牌在業(yè)界的影響力

努力在LED應用新藍海實現(xiàn)突圍

Micro LED是在驅動背板上集成高密度微小尺寸的LED陣列，具有高像素密度、高亮度、更輕薄、低功耗等特點，在超大尺寸安防屏/會議屏、車載顯示屏、數字化車燈、可穿戴設備等領域具有廣闊的產業(yè)化與商業(yè)化應用前景。雖然Micro LED性能優(yōu)勢顯著，但受制于技術瓶頸，Micro LED產業(yè)化道路仍充滿挑戰(zhàn)。

作為LED封裝行業(yè)龍頭企業(yè)，國星光電于2018年率先成立Mini&Micro LED研究中心，2020年成立廣東省半導體微顯示重點實驗室，為攻關技術瓶頸提供有力支撐。目前，公司已在巨量轉移、共晶鍵合、量子點全彩化等多項關鍵技術上取得突破，并開發(fā)出玻璃基被動式驅動透明Micro LED全彩顯示模組和主動式驅動Micro LED全彩顯示模組、硅基0.39英寸單色Micro LED微顯示模組、萬級像素Micro LED數字化車燈光源模組、MIP0404直顯分立器件等產品及技術解決方案，可應用于4k/8k大尺寸安防屏、智慧屏、車載顯示屏、數字化車燈、智能手表及AR/VR可穿戴設備等領域，助推Micro LED產業(yè)化加速發(fā)展。

▲論壇上，國星光電發(fā)表了《Micro LED顯示技術及其產業(yè)化應用趨勢》的專題演講，分享了公司在Micro LED領域的最新進展。

深入探索 豐富第三代半導體場景應用

以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體，因具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的導熱率，以及更強的抗輻射能力等優(yōu)勢，在半導體照明、新一代移動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域具有廣闊的應用前景。據智研咨詢預測，2023年國內第三代半導體市場規(guī)模將達到152.15億元，2028年將達到583.17億元，2023年到2028年復合增長率為30.83%。

2019年，國星光電已開始了組建功率器件實驗室及功率器件產線的工作。經過持續(xù)的創(chuàng)新開拓，國星光電SiC（碳化硅）及GaN（氮化鎵）產品線不斷擴展，其中，在SiC應用領域，已形成以TO封裝為主的SiC-SBD與SiC-MOS產品，相關產品已獲AEC-Q101車規(guī)認證，產品可廣泛應用于黑白家電、移動儲能逆變器、新能源汽車等領域。在GaN應用領域，國星光電具備DFN與TO多種封裝形式，并結合應用方案推出了控制+驅動+GaN的集成化封裝器件，該器件可降低雜感，大幅簡化外圍電路?；诘谌雽w，公司還推出了應用于驅動電源市場的整體方案，其中快充墻插、60W/120W櫥柜燈驅動電源、100W磁吸燈驅動電源等產品已完成驗證并出貨。不斷豐富的第三代半導體產品布局，為國星光電持續(xù)拓展新應用場景提供有力支撐。